عرض القائمة
الرئیسیة
البحث المتقدم
قائمة المکتبات
حول الموقع
اتصل بنا
نشأة
ورود / ثبت نام
تعداد ۱ پاسخ غیر تکراری از ۱ پاسخ تکراری در مدت زمان ۰,۳۷ ثانیه یافت شد.
1. Design and Development of GaN-Based Vertical Transistors for Increased Power Density in Power Electronics Applications
استناد
اطلاعات استناد دهی
BibTex (مخصوص کاربران)
RIS (مخصوص کاربران)
Endnote (مخصوص کاربران)
Refer (مخصوص کاربران)
Mark (مخصوص کاربران)
المؤلف:
Dong Ji
المکتبة:
کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان های اروپایی
(
قم
)
موضوع:
Electrical engineering,Applied sciences;Cavet;Current aperture vertical electron transistor;Gallium nitride;Ogfet;Power transistor;Vertical transistor
رده :
»
1
«
الاقتراح / اعلان الخلل
×
الاقتراح / اعلان الخلل
×
تحذیر!
دقق في تسجیل المعلومات
اعلان الخلل
اقتراح